88必威中国是以陶瓷材料為(wei) 介質的電容器的總稱。其品種繁多，如高壓88必威中国、半導體(ti) 88必威中国、多層88必威中国等等。它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀。廣泛用於(yu) 電子電路中，用量十分可觀。
高壓88必威中国
隨著電子工業(ye) 的高速發展，迫切要求開發擊穿電壓高、損耗小、體(ti) 積小、可靠性高的高壓88必威中国。近10多年來，國內(nei) 外研製成功的高壓88必威中国已經廣泛應用於(yu) 電力係統、激光電源、磁帶錄像機、彩電、電子顯微鏡、複印機、辦公自動化設備、宇航、導彈、航海等方麵。
鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電係數高、交流耐壓特性較好的優(you) 點，但也有電容變化率隨介質溫度升高、絕緣電阻下降等缺點。
◆精選原料影響高壓88必威中国質量的因素，除陶瓷原料組成以外，優(you) 化工藝製造、嚴(yan) 格工藝條件也是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(ye) 純原料時，必須要注意原料的適用性。
◆熔塊製備熔塊製備的質量對瓷料的球磨細度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對後續工藝不利。如合成料中殘存Ca2+，會(hui) 阻礙軋膜工藝的進行；如合成溫度偏高，使熔塊過硬，會(hui) 影響球磨效率；研磨介質的雜質引入，會(hui) 降低粉料活性，導致瓷件燒成溫度提高。
◆成形工藝成形時要防止厚度方向壓力不均，坯體(ti) 閉口氣孔過多，若有較大氣孔或層裂產(chan) 生，會(hui) 影響瓷體(ti) 的抗電強度。
◆燒成工藝應嚴(yan) 格控製燒成製度，采取性能優(you) 良的控溫設備及導熱性良好的窯具。
◆包封包封料的選擇、包封工藝的控製以及瓷件表麵的清潔處理等對電容器的特性影響很大。因此，必須選擇抗潮性好，與(yu) 瓷體(ti) 表麵密切結合的、抗電強度高的包封料。目前，大多選擇環氧樹脂，也有少數產(chan) 品選用酚醛脂進行包封的。還有采取先絕緣漆塗覆，再用酚醛樹脂包封方法的，這對降低成本有一定意義(yi) 。大規模生產(chan) 線上多采用粉末包封技術。
半導體(ti) 88必威中国
表麵層88必威中国，電容器的微小型化，即電容器在盡可能小的體(ti) 積內(nei) 獲得盡可能大的容量，這是電容器發展的趨向之一。對於(yu) 分離電容器組件來說，微小型化的基本途徑有2個(ge) ：使介質材料的介電常數盡可能提高；使介質層的厚度盡可能減薄。
在陶瓷材料中，鐵電陶瓷的介電常數很高，但用鐵電陶瓷製造普通鐵電88必威中国時，陶瓷介質很難做得很薄。首先是由於(yu) 鐵電陶瓷的強度低，較薄時易碎裂，難於(yu) 進行實際生產(chan) 操作；其次，陶瓷介質很薄時易造成各種組織缺陷，生產(chan) 工藝難度很大。
多層88必威中国
這是片式元件中應用*廣泛的一類，它是將內(nei) 電極材料與(yu) 陶瓷坯體(ti) 以多層交替並聯疊合，並共燒成一個(ge) 整體(ti) ，又稱片式獨石電容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特點，可貼裝於(yu) 印製電路板、混合集成電路基片，有效地縮小電子信息終端產(chan) 品的體(ti) 積和重量，提高產(chan) 品可靠性。
順應了IT產(chan) 業(ye) 小型化、輕量化、高性能、多功能的發展方向，國家曾在2010年目標綱要中明確提出：將表麵貼裝元器件等新型元器件作為(wei) 電子工業(ye) 的發展重點。它不僅(jin) 封裝簡單、密封性好，而且還能有效地隔離異性電極。
MLCC在電子線路中可以起到存儲(chu) 電荷、阻斷直流、濾波，區分不同頻率及使電路調諧等作用。在高頻開關(guan) 電源、計算機網絡電源和移動通信設備中，可部分取代有機薄膜電容器和電解電容器，並大大提高高頻開關(guan) 電源的濾波性能和抗幹擾性能。多層88必威中国的3大趨勢：
◆小型化對於(yu) 便攜式攝錄機、手機等袖珍型電子產(chan) 品，需要更加小型化的MLCC產(chan) 品。另一方麵，由於(yu) 精密印刷電極和疊層工藝的進步，超小型MLCC產(chan) 品也逐步麵世和取得應用。以矩形MLCC的發展為(wei) 例，外形尺寸已經從(cong) 20世紀80年代前期的3216減小到現在的0603。國內(nei) 企業(ye) 生產(chan) 的MLCC主流產(chan) 品是0603型，已突破了0402型MLCC大規模生產(chan) 的技術難關(guan) 。
◆低成本化傳(chuan) 統MLCC，由於(yu) 采用昂貴的鈀電極或鈀銀合金電極，其製造成本的70％被電極材料占去。包括高壓MLCC在內(nei) 的新一代MLCC，采用了金屬材料鎳、銅作電極，大大降低了MLCC的成本。但是金屬內(nei) 電極MLCC需要在較低的氧分壓下燒結以保證電極材料的導電性，而過低的氧分壓會(hui) 帶來介質瓷料的半導化傾(qing) 向，不利於(yu) 元件的絕緣性和可靠性。
◆大容量、高頻化一方麵，伴隨半導體(ti) 器件低壓驅動和低功耗化，集成電路的工作電壓已由5V降低到3V和1.5V；另一方麵，電源小型化需要小型、大容量產(chan) 品以替代體(ti) 積大的鋁電解電容器。為(wei) 了滿足這類低壓大容量MLCC的開發與(yu) 應用，在材料方麵，已開發出相對介電常數比BaTiO3高1～2倍的弛豫類高介材料。
在開發新產(chan) 品過程中，同時發展了3種關(guan) 鍵技術，即製取超薄生片粉料分散技術、改善生片成膜技術和內(nei) 電極與(yu) 陶瓷生片收縮率相匹配技術。
通信產(chan) 業(ye) 的快速發展對元器件的頻率要求越來越高，在高頻段的某些應用中可以替代薄膜電容器。而我國高頻、超高頻MLCC產(chan) 品與(yu) 國外相比仍有一定的差距，其主要原因是缺乏基礎原料及其配方的研發力度。
隨著技術不斷更新，現已不斷湧現出了低失真率和衝(chong) 擊噪聲小的產(chan) 品、高頻寬溫長壽命產(chan) 品、高安全性產(chan) 品以及高可靠低成本產(chan) 品。